特許

J-GLOBAL ID：200903058628536620

半導体装置

発明者： 市橋 由成
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234455
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074271
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ボンディングパッドと電極部との間の層におけるローディング効果の発生を抑制して、これによるエッチング不良や不均一なエッチングの発生を防止すること。【解決手段】 ボンディングパッド59と電極部58とを接続するためのビアホール1を幅1μmのスリット状にすることにより、ビアホール1の大きさが、同じ層にある他のビアホール60の大きさに近くなる。従って、ローディング効果の発生を抑制することができ、これによるエッチング不良や不均一なエッチングの発生を防止し、結果、良好な多層配線構造を形成することができる。

請求項（抜粋）：

ボンディングパッドと電極部とを電気的に接続するためのコンタクトホールの幅又は径を狭く設定したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N