半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083699
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284724
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電極が一列に並んでいるためレイアウトしやすいため、また、トランジスタが斜めに形成されているため、電極を小さくすればトランジスタの面積も小さくなり、より高集積化がはかれる。そして、トランジスタを斜めに構成し電極を取り出しやすくしたことにより、従来必要だった電極を取り出すための構造が不要となり、構造が簡略化されたため製造工程が簡略化される。【解決手段】半導体基板20上に設けられたソース層21と、ソース層上の一部分に設けられたチャネル層22と、チャネル層22上に設けられたドレイン層23とを備える。

請求項（抜粋）：

隣接する第1の表面領域と第2の表面領域とを一主面に有する半導体基板と、この半導体基板の前記第2の表面領域を除いて前記第1の表面領域に形成され第3の表面領域、この第3の表面領域に隣接する第4の表面領域およびこの第4の表面領域に隣接する第5の表面領域とを有する一導電型の第1の領域と、前記第4及び第5の表面領域を除いて前記第3の表面領域上に形成された第二導電型の第2の領域と、前記第3及び第5の表面領域を除いて前記第4の表面領域上に形成された第1の絶縁膜と、前記第3及び第4の表面領域を除いて前記第5の表面領域上に第2の絶縁膜を介して形成された第1の電極と、前記第2の領域上に形成された前記一導電型の第3の領域と、前記第2の表面領域に形成され前記第1の領域と接続された第2の電極と、前記第3の領域上に形成された第3の電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 653 B , H01L 27/08 102 E , H01L 29/78 301 X

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