特許

J-GLOBAL ID：200903058640636410

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 吉田 育生
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-301154
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148331
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 バンプ下地金属およびバンプ形成工程の生産効率の向上、製造コストの削減および新規設備の投資に伴うコスト上昇を抑制する。【解決手段】 半導体基板1の主面上に形成された配線2の上層にタングステンからなる中間層3を形成することにより、ニッケルからなる第1金属層6と金からなる第2金属層7とで構成されるバンプ下地金属を、無電解メッキ法で安定に形成する。また、バンプ下地金属の形成前にウェハ検査を行い、ウェハをダイシングして分断した後、前記検査で良品と判定された半導体基板1にのみバンプ下地金属を形成する次工程に進め、不良品と判定された半導体チップは次工程の処理を行わない。

請求項（抜粋）：

その主面に半導体集積回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成され、前記半導体集積回路素子に接続される配線と、前記半導体基板および前記配線に接して形成された表面保護膜と、前記配線上の前記表面保護膜を開孔した表面保護膜の開孔部と、前記開孔部に形成され、または前記開孔部を覆って形成されたバンプ下地金属とを含む半導体集積回路装置であって、前記バンプ下地金属の下面には、バンプ下地金属を無電解メッキで形成するための中間層を形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  C23C 18/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/09

FI (7件)：

H01L 21/92 604 B ,  C23C 18/52 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/09 B ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 M