半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291141
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】シリコン基板1上に形成した多結晶シリコン膜と高融点金属膜を反応させて高融点金属シリサイド層9を生成した後にn+拡散層7を形成するための不純物イオンの注入を行う。【効果】多結晶シリコン膜と高融点金属膜を反応させて高融点金属シリサイド層9を生成するので、シリコン基板1のn+拡散層7の浅接合化に悪影響を与えることがなくなり、しかも、高融点金属シリサイド層9の生成後に不純物の注入を行うので、高融点金属シリサイドを容易に熱的に安定な結晶構造にすることができる。拡散層の寄生抵抗の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン基板上にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、該シリコン膜上に高融点金属膜を形成する高融点金属膜形成工程と、熱処理によって該シリコン膜のシリコンと該高融点金属膜の高融点金属とを反応させ、それによって高融点金属シリサイドを生成するシリサイド化工程と、該高融点金属シリサイドに第2導電型の不純物を注入する不純物注入工程と、熱処理によって該高融点金属シリサイド中の該不純物を該シリコン基板に拡散させる不純物拡散工程と、を包含する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭62-033466
特開昭61-003461
特開昭63-299377

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