特許
J-GLOBAL ID：200903058647678045
バンプ外観検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000617
公開番号（公開出願番号）：特開平6-201332
出願日： 1993年01月06日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザからの走査光を半導体チップ上のバンプに照射してバンプ高さを検査するバンプ外観検査装置に関し、バンプの良・不良を精密に検査する。【構成】 レーザ変調回路46は半導体レーザ14が第1の反射率に応じた第1のエネルギ強度のレーザ光と第2の反射率に応じた第2のエネルギ強度のレーザ光を交互に発射するよう駆動信号LDのレベルを変調する。サンプルホールド回路47は駆動信号LDに基づいて第1のエネルギ強度のレーザ光の発射タイミングで、サンプルホールド回路48は同様に第2のエネルギ強度のレーザ光の発射タイミングでPSD21の出力電流Ia,Ib をサンプリングする。各演算回路49,50 と高さ検出補正回路51で構成するバンプ高さ算出手段は各サンプルホールド回路47,48 のサンプリング結果に基づいてバンプ1のチップ2表面からの高さを算出する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ(14)と、駆動信号(LD)を入力され、該駆動信号(LD)のレベルに応じたエネルギ強度のレーザ光を該半導体レーザ(14)に励起させる励起手段(46)と、第1の反射率を有するチップ表面に第2の反射率を有するバンプ(2)が形成された半導体チップ(1)を、該半導体レーザ(14)からのレーザ光により走査する走査手段(13,41)と、入射光の入射位置に応じた光検出信号(Ia,Ib) を生成する光検出手段(21)と、該半導体チップ(1)からの反射光を上記入射光として該光検出手段(21)に結像させる結像手段(20)とを具備し、該光検出手段(21)からの光検出信号(Ia,Ib) に基づいて該バンプ(2)の外観を検査するバンプ外観検査装置において、前記半導体レーザ(14)が前記第1の反射率に応じた第1のエネルギ強度のレーザ光と前記第2の反射率に応じた第2のエネルギ強度のレーザ光を交互に発射するよう、前記励起手段(46)への前記駆動信号(LD)のレベルを変調する変調手段(46)と、前記駆動信号(LD)に基づいて、前記光検出手段(21)からの光検出信号(Ia,Ib) を前記第1のエネルギ強度のレーザ光が発射されるタイミングでサンプリングする第1のサンプリング手段(47)と、前記駆動信号(LD)に基づいて、前記光検出手段(21)からの光検出信号(Ia,Ib) を前記第2のエネルギ強度のレーザ光が発射されるタイミングでサンプリングする第2のサンプリング手段(48)と、該第1及び第2のサンプリング手段(47,48)のサンプリング結果に基づいて、前記バンプ(2)の前記チップ表面からの高さを算出するバンプ高さ算出手段(49,50,51)とを具備したことを特徴とするバンプ外観検査装置。
IPC (3件)：
G01B 11/02
, H01L 21/66
, H01L 21/321
