特許

J-GLOBAL ID：200903058648579059

冷陰極およびその製造方法

発明者： 原田 昿嗣
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-253569
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115653
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 陰極を流れる電流の制御性が良好かつ、構造が簡単で製作容易な冷陰極を得ることを目的とし、さらにこの冷陰極に適した製造方法を提供することを目的とする。【構成】 P型シリコン基板11の主面上にP型シリコン基板11と一体で形成された円錐台形の基体部22Bが設けられ、基体部22Bの上面にはN型シリコンで形成されたコーン形状の先端部22Tが設けられ、基体部22Bと先端部22Tとでコーン形状の陰極22が構成されている。また、P型シリコン基板11の上には陰極22を取り囲むように、シリコン酸化膜13、ゲート電極14が順に形成されて積層構造をなしている。【効果】 電流を制限するための構成を陰極内部に備え、陰極単体で独立して制御性良く電流を制限でき、かつ、構造が簡単で製作容易な冷陰極を得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の主面上に突出して、該半導体基板と一体で形成され、その上部に他の層が形成される基体部と、前記基体部の上に形成され、鋭角な先端を有する第2導電型の先端部とからなり、前記基体部と前記先端部との接合面がPN接合となっている陰極を備えることを特徴とする冷陰極。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037898   出願人：右高正俊, 伊勢電子工業株式会社
• 特開昭60-180040
  
• 特開平1-128332