特許
J-GLOBAL ID:200903058650201551

金属用研磨組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-080010
公開番号(公開出願番号):特開2003-282494
出願日: 2002年03月22日
公開日(公表日): 2003年10月03日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、低荷重条件下においても金属膜を高速に研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属用研磨組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ポリオキソ酸および/またはその塩、水溶性高分子および水から成ることを特徴とする金属用研磨組成物。およびこれらを用いて成る半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法。
請求項(抜粋):
ポリオキソ酸および/またはその塩、水溶性高分子および水を含有してなることを特徴とする金属用研磨組成物。
IPC (3件):
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00
FI (3件):
H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H
Fターム (5件):
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

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