特許

J-GLOBAL ID：200903058651606555

誘電体薄膜の形成方法

発明者： 井関 隆之
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053293
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244261
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 残留分極値を向上させた誘電体薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 SiO2層2上に下地層4を積層した後、この下地層4上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、SiO2層2をプラズマCVD法により、テトラエトキシシランとO2との混合ガスを用い、ガス圧を0.4Torr以下にして形成する。

請求項（抜粋）：

SiO2層上に下地層を積層した後、この下地層上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、前記SiO2層をプラズマCVD法により、テトラエトキシシランとO2との混合ガスを用い、ガス圧を0.4Torr以下にして形成することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (8件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

Fターム (44件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030HA03 ,  4K030JA09 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083GA30 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01 ,  5G303DA06