特許

J-GLOBAL ID：200903058651711740

多層磁性薄膜層を有する磁気抵抗効果センサ

発明者： 西岡 浩一 ,  井関 隆之 ,  藤原 英夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本ビクター株式会社 ,  アラバマ大学
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070324
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】低飽和保磁力、低異方性磁場および低磁歪定数の軟磁性を与えた磁性体薄膜層を有する磁気抵抗効果センサを提供する。【解決手段】ひとつの磁性体極薄膜から他の磁性体極薄膜について同一の結晶面配向性をもつ強磁性体材料で構成された複数の磁性体薄膜層からなる少なくともひとつの磁性体薄膜層、および単相のエピタキシャル成長に不連続性をもつ隣接しあった磁性体薄膜の間の中間層を有する。各々の磁性体極薄膜は、鉄、ニッケルおよびコバルトの各々を含む合金から構成され、90:10のコバルトと鉄の重量比をもっている。結晶は、面心立方格子で高度に方向性の揃った(111)結晶面配向面をもった結晶構造を有している。中間層はニッケルあるいは銅から構成された層となっている。全ての層は、焼鈍処理の前の平衡状態と同一の材料組織の異方性エネルギーよりも小さい。

請求項（抜粋）：

実質的に強磁性体材料からなる第1の磁性体薄膜層と、実質的に強磁性体材料からなる第2の磁性体薄膜層と、前記第1および第2の磁性体薄膜層の間に挟まれた非磁性体金属材料からなる非磁性体薄膜層と、前記第2の磁性体薄膜層に隣接し、実質的に第1の固定した方向にそって前記第2の磁性体薄膜層の磁化方向を固定するために、前記第2の磁性体薄膜層と隣接し合う面で交換結合を行う反強磁性体材料で構成された薄膜層とからなる巨大磁気抵抗型の磁気抵抗スピンバルブセンサであって、前記第1の磁性体薄膜は、検出対象となる外部から与えられた磁場に対して、前記第1の方向に対して相対的に自由に動く第2の方向にある磁化方向を有し、これによって、検出電流に対する薄膜層の抵抗を、前記第1の方向と前記第2の方向とがなす角θの余弦値の1乗に比例して変化させ、前記第1の磁性体薄膜層、前記第2の磁性体薄膜層および反強磁性体材料からなる前記薄膜層並びに前記非磁性体薄膜層は、同一の結晶構造と結晶面配向性を有し、前記第1の磁性体薄膜層は、一方の極薄膜層から他方の極薄膜まで同一の結晶面配向性を有する強磁性体材料からなる複数の磁性体極薄膜層と、単結晶のエピタキシャル成長に不連続性を示す前記磁性体極薄膜のそれぞれ隣接する磁性体極薄膜の間にある中間層とを有することを特徴とする巨大磁気抵抗型の磁気抵抗スピンバルブセンサ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 F ,  G01R 33/06 R