特許

J-GLOBAL ID：200903058654109293

電荷領域内に対数ダイナミック・レンジ圧縮を実現する電荷増倍器

発明者： ヤロスラフ ハイネセク
出願人/特許権者： イゼテックス、インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161597
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051510
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 電荷増倍器を組み込み、高ダイナミック・レンジと低雑音であって、サイズを小さく保つCCD装置を提供する。【解決手段】 CCD装置(200)は、そのCCDレジスタ(203)内に電荷増倍と電荷領域ダイナミック・レンジ圧縮を組み込む。この構造により、この装置の電荷領域内に高いダイナミック・レンジを保持し、また電荷検出ノード(208)と増幅器が不適当な電圧振幅により飽和するのを防ぐ。ダイナミック・レンジ圧縮は所定の組み込みしきい値から先は対数的であり、雑音がない。この方法の別の利点は、レジスタを小さなサイズに保つことができることであり、またレジスタはブルーミングを防ぐアンチ・ブルーミング・デバイス(210)を含んでよい。

請求項（抜粋）：

その構造内に電荷増倍器を組み込んだCCDレジスタ固体イメージ・センサであって、CCDレジスタ・セルに隣接し、且つ電荷オーバーフロー・バリヤを通して前記レジスタ・セルに結合する少なくとも1つのCCD電荷増倍セル、を備えるCCDレジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/339 ,  H01L 27/148 ,  H01L 29/762 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 P ,  H04N 5/335 U ,  H01L 29/76 301 A ,  H01L 27/14 B

Fターム (21件)：

4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118DA14 ,  4M118DA16 ,  4M118DA18 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  4M118FA12 ,  4M118FA14 ,  4M118FA17 ,  4M118FA24 ,  5C024CX03 ,  5C024CX12 ,  5C024CX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY41 ,  5C024GY44 ,  5C024HX17 ,  5C024HX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 固体撮像素子構成
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-558340   出願人：イー2ヴィテクノロジーズリミテッド
• CCDイメージャ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066486   出願人：イーイーヴィリミテッド
• 特開平3-270579
  
• 特開平3-270579