特許

J-GLOBAL ID：200903058656886459

マスクプログラム型読み出し専用メモリ

発明者： 西尾 好伸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047188
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 1メモリセルトランジスタから1ビットを越える情報量を読み出すことができるマスクプログラム型読み出し専用メモリを提供する。【構成】 ROMコード書き込みのためのイオン注入を複数回行なうことによって、メモリセルトランジスタ17〜20のスレッシュホールド電圧を3種類以上に分け、それらを異なったゲート電圧(例えばゲート線13から供給されるゲート電圧)でそれぞれアクセスすることで、選択するメモリセルトランジスタ(例えば17)がどの種類のスレッシュホールド電圧に属するかを判別し、1メモリセルトランジスタから1ビットを越える情報量を読み出す。

請求項（抜粋）：

スレッシュホールド電圧の異なる3種類以上のメモリセルトランジスタで構成され、かつ読み出しが1メモリセルトランジスタのゲート電圧を3通り以上変化させて行われることを特徴とするマスクプログラム型読み出し専用メモリ。