特許
J-GLOBAL ID：200903058657886274
X線マスク及びX線マスク材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238395
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094400
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 アライメント光に対して高い透過率を有すると同時にEB検査時にもマスク表面に電荷が蓄積することのないX線マスク及びそのX線マスクの素材たるX線マスク材料を提供する。【構成】 X線透過膜2上のX線吸収膜パターン4が形成される側である表面側にEB検査の際に電荷が蓄積しない程度の導電性を有しかつアライメント光に対して反射防止機能を有する反射防止膜たるITO膜3を設け、裏面側に絶縁性の反射防止膜5を設けた。
請求項（抜粋）：
X線による微細パターン転写用のマスクであって、支持枠にその周囲が固着されて支持されたX線透過膜と、このX線透過膜の上に形成されたX線吸収膜パターンとを有するX線マスクにおいて、前記X線透過膜上のX線吸収膜パターンが形成される側に、X線及びこのX線で転写を行う前にX線マスクと被転写体との位置関係を合わせるアライメントを行うためにX線透過膜を通して照射されるアライメント光を透過し、かつ、X線マスクを電子ビームによって検査する際に電荷が蓄積しない程度の導電性する導電性膜を設けたことを特徴としたX線マスク。
IPC (2件)：
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