特許
J-GLOBAL ID：200903058659054470
光電子放出面及びそれを用いた電子管
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311753
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161288
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 低いバイアス電圧で電子を放出できる光電子放出面と、光電子放出面からのダーク電流が著しく減少した高感度かつ低雑音の電子管を提供する。【構成】 光電子を加速する方向にバイアス電圧が印加された状態で、本発明による光電子放出面に基板側から光が入射すると、入射光は基板を透過し、光吸収層で吸収され、光電子を励起する。励起された光電子は、バイアス電圧の印加によって形成された電界により加速され、光吸収層とi型中間層の界面に達する。この界面に生じたエネルギー障壁は、i型中間層の強い内部電界により従来よりも障壁の幅が狭まっており、光電子はこの障壁をトンネル効果により容易に通過するので、従来よりもはるかに低いバイアス電圧の印加で光電子が放出される。これにより正孔の注入が抑制され、この正孔に起因するダーク電流が著しく減少する。
請求項（抜粋）：
III -V族化合物半導体のヘテロ積層構造を有し、入射光を吸収して光電子を励起する光電子放出面において、基板上に形成されたエネルギーギャップの小さな光吸収層と、前記光吸収層の上面に積層され、この光吸収層よりエネルギーギャップが大きく、かつ高抵抗のi型中間層と、前記i型中間層の上面に積層された電子放出層と、前記基板に接する第1の電極と、前記電子放出層に接する第2の電極とを備え、前記入射光は前記基板側から入射し、前記光電子は前記電子放出層側に放出されることを特徴とする光電子放出面。
IPC (5件)：
H01J 1/34
, H01J 29/38
, H01J 40/06
, H01J 43/08
, H01L 31/10
