特許

J-GLOBAL ID：200903058659887774

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183572
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 両端面の間で光が反射することを抑制でき、かつ、容易に製造できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】 電流阻止層に形成されたストライプ状の第1貫通溝M1と、第1貫通溝M1よりも幅広の第2貫通溝M2と、第1貫通溝M1の上の平坦部4aと、第2貫通溝M2の上の窪み部4bとを含む活性層4を備えた。【効果】 活性層4の窪み部4bが曲がり導波路となるから、光の反射が抑えられる。幅広の溝M2を形成したから、窪み部4bを容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の上に形成された第2導電型の電流阻止層と、上記電流阻止層に形成され、上記電流阻止層の積層方向と垂直な方向の一端から他端に向かって所定の長さだけ延び、かつ、上記第1導電型の半導体基板に達する深さのストライプ状の第1貫通溝と、上記電流阻止層に形成され、上記第1貫通溝の終端から上記電流阻止層の他端まで延び、かつ、上記第1導電型の半導体基板に達する深さを有し、上記第1貫通溝よりも幅広の第2貫通溝と、上記電流阻止層と第1貫通溝の上に位置する平坦部と、上記第2貫通溝の上に位置し、上記平坦部に比べて第2貫通溝の深さ方向に窪んでいる窪み部とを含む第1導電型の活性層とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。