特許

J-GLOBAL ID：200903058664653684

MCM用シリコン基板

発明者： 渕 澤 尚 行 ,  荒 木 昌 二 郎
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236584
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084082
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】先に説明したSi基板中のデカップリングコンデンサの単位面積当たりの静電容量を増加させ、小さい面積で必要な静電容量を確保することを目的とする。【解決手段】一つの面が二酸化珪素からなる絶縁層で覆われたシリコン基板と、この絶縁層の上に形成したポリシリコンからなる第1導電体層と、この第1導電体層の上に形成した窒化珪素膜(Si3N4)からなる第1誘電体層と、この第1誘電体層の上に形成したポリシリコンからなる第2導電体層と、この第2導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第2誘電体層と、この第2誘電体層の上に形成した上部電極からなり、上部電極と第1導電体層とを接続することにより、上部電極に生じるデカップリングコンデンサの単位面積あたりの静電容量を増加させることを特徴とするシリコン基板。

請求項（抜粋）：

一つの面が二酸化珪素からなる絶縁層で覆われたシリコン基板と、この絶縁層の上に形成したポリシリコンからなる第1導電体層と、この第1導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第1誘電体層と、この第1誘電体層の上に形成したポリシリコンからなる第2導電体層と、この第2導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第2誘電体層と、この第2誘電体層の上に形成した上部電極から構成し、上部電極と第1導電体層と接続することにより上部電極に生じるデカップリングコンデンサの単位面積あたりの静電容量を増加させることを特徴とするMCM用シリコン基板。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 23/12 N