特許

J-GLOBAL ID：200903058664730190

メモリモジュール

発明者： 佐々木 敏夫 ,  青木 正和 ,  柳沢 一正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091991
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 欠陥ビットを含むメモリチップを有効に使用できるようにする。【解決手段】 正規メモリにおける不良アドレスを記憶し、それに対するメモリアクセスを検出して予備メモリに切り換えるとともに、冗長切り換え回路により予備メモリに余裕があるときに外部端子から供給された予備メモリアクセス信号を有効にして上記予備メモリに対するメモリアクセスを行う欠陥救済回路を設けた半導体チップの複数と1つの制御用半導体チップとを実装基板上に搭載し、上記制御用の半導体チップに複数の半導体チップのうち内蔵された欠陥救済回路により救済できない不良アドレスを記憶させ、かかる不良アドレスに対するメモリアクセスを検出し、他の半導体チップであって予備メモリに余裕があるものに予備メモリアクセス信号を供給してかかる予備メモリに対してメモリアクセスを行うようにする。

請求項（抜粋）：

正規メモリにおける不良アドレスを記憶し、かかる不良アドレスに対するメモリアクセスを検出して予備メモリに切り換えるとともに、冗長切り換え回路により予備メモリに余裕があるときに外部端子から供給された予備メモリアクセス用アドレス信号を有効にして上記予備メモリに対するメモリアクセスを行う欠陥救済回路を備えた半導体チップと、かかる半導体チップの複数と1つの制御回路を構成する半導体チップとを実装基板上に搭載してなり、上記制御回路に複数の半導体チップのうち内蔵された欠陥救済回路により救済できない不良アドレスを記憶させ、かかる不良アドレスに対するメモリアクセスを検出し、他の半導体チップであって予備メモリに余裕がある半導体チップに対して予備メモリアクセス用アドレス信号を供給してかかる予備メモリに対してメモリアクセスを行うようにしてなることを特徴とするメモリモジュール。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 ,  G06F 12/16 310

FI (2件)：

G11C 29/00 301 B ,  G06F 12/16 310 P