特許

J-GLOBAL ID：200903058682286559

高密度配線基板の製造方法

発明者： 赤星 晴夫 ,  村上 敢次 ,  川本 峰雄 ,  田所 昭夫 ,  鳥羽 律司 ,  吉村 豊房
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154056
出願日： 1987年06月16日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 無電解銅めっき法で配線基板を製造する際、微小ランド部でのめっき反応の停止や配線密度の高い部分でのめっき異常析出等の欠陥を防止する。【構成】 めっき槽1の散気管3からめっき液6中に吹き込まれる酸素含有ガスの気泡を、少なくとも基板7の表面と接触する領域では気泡径が基板7上の微細パターンの長手方向寸法のうち最も小さい寸法より小さくなるようにする。めっき液中に分散されている全気泡中の酸素ガス量は、めっき液1m3 あたり0.1mol以上とする。めっき液中に分散させる酸素含有ガスが空気のときは、分散空気の体積を、めっき液の体積に対し、1atmに換算して1%以上とする。

請求項（抜粋）：

銅イオンとその錯化剤及び還元剤を含む無電解銅めっき液を用いて微細パターンを有する基板表面をめっきする配線基板の製造方法において、めっき液中に、酸素含有ガスの気泡を少なくとも前記基板表面と接触する領域では気泡径が前記基板上の微細パターンの長手方向寸法のうち最も小さい寸法より小さくなるようにして分散することを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/40