特許

J-GLOBAL ID：200903058686660609

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡田 紀雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263663
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100847
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 バンプ状導体又はワイヤ状導体などからなる外部接続用導体を取り付けるための銅パッド膜を、工程数を短縮して形成する【解決手段】 開示されている半導体装置は、例えばシリコンからなる半導体基板1上に形成されている膜厚が3〜4μmの保護用絶縁膜2には、溝径が略50μmで、深さが略2μmの配線用溝3が形成されて、この配線用溝3には膜厚が略50nmの窒化チタン膜からなる第1バリア金属膜4を介して最上層銅配線5が埋め込まれている。さらに、その最上層銅配線5の略中央部には膜厚が略70nmの第2バリア金属膜8を介して、銅パッド膜9が埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

実装基板上の外部配線に接続されるべき外部接続用導体が取り付けられるパッド金属膜を備え、該パッド金属膜が前記外部接続用導体の取付け面を除いて最終保護用絶縁膜で覆われ、前記パッド金属膜が最上層配線と接続している半導体装置であって、前記最上層配線は、前記パッド金属膜との間に第2バリア金属膜が設けられている一方、前記パッド金属膜との反対面に第1バリア金属膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 603 F

Fターム (34件)：

4M105FF03 ,  4M105FF04 ,  4M105FF05 ,  4M105FF06 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE21 ,  5F044FF04 ,  5F044FF05