特許

J-GLOBAL ID：200903058696479902

成膜装置および成膜方法

発明者： ビー.エス.サティアナラヤーナ ,  柴垣 茂樹 ,  古田 寛 ,  木村 千春 ,  洪 ▲ぎ▼植 ,  高梨 久美子 ,  玉川 智史
出願人/特許権者： ソナック株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000844
公開番号（公開出願番号）：特開2005-350763
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 同一の成膜装置によって多種の炭素膜を成膜できるようにする。 【解決手段】 陰極アーク放電によって陰極材料を衝撃して基板に成膜する成膜装置において、前記陰極4と前記基板8との間隔を可変する可変手段を設け、陰極4と基板8との間の距離を可変して材料特性やエミッタ特性などに影響を及ぼすパラメータであるイオン行程距離(Ion Throw Distance)を調整できるようにしており、これによって、他のパラメータを適宜選択することにより、様々な特性の炭素膜の成膜を可能としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

陰極アーク放電によって陰極材料イオンを含むプラズマを生成して基板に成膜する成膜装置であって、 前記陰極と前記基板との間隔を可変する可変手段を設けたことを特徴とする成膜装置。

IPC (1件)：

C23C14/32

FI (1件)：

C23C14/32 Z

Fターム (9件)：

4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BA48 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA06 ,  4K029JA00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• カソーディックアーク成膜方法、保護膜および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-038568   出願人：株式会社島津製作所