特許

J-GLOBAL ID：200903058699850270

半導体装置及びその製造方法

発明者： 粟野 祐二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168450
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022998
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、五族元素が例えば1〔%〕乃至2〔%〕過剰に含まれている三族-五族化合物半導体からなり、且つ、高い均一性をもって薄膜化された絶縁膜を用いたMIS構造を実現させる。【構成】 半絶縁性GaAs基板11上にi-GaAsバッファ層12及びn-GaAsチャネル層13及びAs過剰な低温成長GaAsゲート絶縁膜14及びAs過剰な低温成長AlGaAsエッチング停止層15及びAs過剰な低温成長GaAs表面保護層16が積層形成され、低温成長AlGaAsエッチング停止層15上或いは低温成長GaAsゲート絶縁膜14上にゲート電極17が形成される。

請求項（抜粋）：

半絶縁性三族-五族化合物半導体基板上に順に積層形成されたi型化合物半導体層及び一導電型化合物半導体層及び五族元素が過剰な下側i型化合物半導体層及び前記下側i型化合物半導体層と後記上側i型化合物半導体層とは少なくとも一元素を異にする元素を含み五族元素が過剰な中間i型化合物半導体層及び五族元素が過剰な上側i型化合物半導体層と、前記上側i型化合物半導体層及び前記中間i型化合物半導体層を選択的に除去して一部が表出された前記下側i型化合物半導体層上に形成された制御電極とを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/76

FI (6件)：

H01L 29/62 G ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/46 H