特許
J-GLOBAL ID：200903058700325613
半導体製造システム
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233455
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045472
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】この発明は半導体の製造過程で排出される可燃性ガスの処理においてガスの処理を行ないながら、その化学エネルギーを回収する半導体製造システムに関するものである。【解決手段】原料ガス供給系11から供給される可燃性ガスを含むガスは半導体製造部12を経由し、粉体フィルター13、および圧力制御部14を経由して、排気ガス処理系2に導入される。ます、化学フィルター21で金属を含むガスが除去された後、22からの流量信号がガス流量変動補償制御部23に渡され、適切な条件設定がなされて、水素酸素燃料電池型ガス分解部24に導入される。排気ガスは主に水蒸気と炭酸ガスとに変換されるとともに、可燃ガスの持っていた化学エネルギーは電気エネルギーと熱エネルギーとして回収される。
請求項（抜粋）：
水素、炭化水素ガス、アルコール類またはアンモニアの少なくとも一つを原料ガスとして含む半導体製造システムであって、排気ガスの脱水素または脱アンモニア処理に於いて、水素酸素燃料電池型分解方式を用いたことを特徴とする半導体製造システム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5H026AA04
, 5H026AA06
, 5H027AA02
, 5H027AA04
, 5H027BA01
, 5H027BA16
, 5H027KK21
