特許
J-GLOBAL ID：200903058704066469
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297287
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196102
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板を用いた半導体装置の支持基板を、実装方法によることなく簡単に接地又はバイアスできるようにする。【解決手段】 SOI基板1の埋込酸化膜3上に、絶縁膜39により絶縁分離された複数の半導体素子33,35を形成し、その絶縁膜39と埋込酸化膜3とを貫通する基板コンタクトホール5,6を設け、そこに露出する支持基板2の表面付近に高濃度拡散層7を設け、基板コンタクトホール5,6を通してその高濃度拡散層9と電気的に接続され、絶縁膜39上にパッド部22aを延設した金属電極22を設ける。
請求項（抜粋）：
シリコンの支持基板上に埋込酸化膜が設けられたSOI基板の該埋込酸化膜上に、絶縁膜により互いに絶縁分離された複数の半導体素子が設けられている半導体装置において、前記各半導体素子と前記絶縁膜により絶縁分離された領域に設けられ、前記絶縁膜および埋込酸化膜を貫通する基板コンタクトホールと、該基板コンタクトホールによる開口部内の前記支持基板の表面に設けられた該支持基板と同じ導電型の高濃度拡散層と、前記基板コンタクトホール内に充填されて前記高濃度拡散層と電気的に接続し、前記絶縁膜上にパッド部を延設した金属電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 626 C
, H01L 27/12 C
