特許
J-GLOBAL ID：200903058710453008

半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者：
辻 幸洋

辻 幸洋 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-052221
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243947
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 半導体装置の欠けを抑制し、かつ、ブレードの耐久性を向上することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本製造方法は、第1の面及び第1の面に対向する第2の面を有する化合物半導体基板と、第2の面に金設けられた金属膜とを備えるウエハから第1のブレード及び第2のブレードを用いて半導体装置を個片化する。本製造方法は、第2のブレードに含まれるダイアモンド砥粒より粒径が小さいダイアモンド砥粒を含み第2のブレードより刃幅が大きい第1のブレードによって、第1の面から化合物半導体基板の内部まで所定の深さの溝を形成する工程と、当該溝の内側に第2のブレードを進入させ、ウエハを切断する工程と、を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の面及び該第1の面に対向する第2の面を有し、該第2の面に設けられた金属膜を備える半導体基板から第1のブレード及び第2のブレードを用いて半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法であって、 前記第2のブレードに含まれるダイアモンド砥粒より粒径が小さいダイアモンド砥粒を含み該第2のブレードより刃幅が大きい第1のブレードによって、前記第1の面から前記半導体基板の内部まで所定の深さの溝を形成する工程と、 前記溝の内側に前記第2のブレードを進入させ、前記半導体基板を切断する工程と を含む、半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/301
FI (3件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 F
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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