特許
J-GLOBAL ID：200903058712206547
不揮発性記憶装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123531
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196711
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 実質的なメモリセルサイズを小さくし、かつ実質的に低電圧動作及び低電流動作を実現した不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。【構成】 フローティングゲートと、その上部にコントロールゲートを設け、上記フローティングゲートを挟むような一対のソース,ドレインのうちの一方のソース,ドレインにおいてフローティングゲートとオーバーラップする部分に低濃度の第2導電型の半導体領域を設け、フローティングゲートから第1ゲート絶縁膜を通して流れるF-Nトンネル電流によって上記一対のソース,ドレインのうちの高濃度の第2導電型の半導体領域を持つ他方のソース,ドレインに電子を引き抜くという書き込み動作と、上記一対のソース,ドレイン又は半導体基板から第1ゲート絶縁膜を通して流れるF-Nトンネル電流によってフローティングゲートに電子を注入するという消去動作を行わせる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の一主面に第1ゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、このフローティングゲートの上部に第2ゲート絶縁膜を介して設けられたコントロールゲートと、上記フローティングゲートを挟むように半導体基板上に形成された第2導電型の一対のソース,ドレインを構成する半導体領域と、上記一対のソース,ドレインを構成する半導体領域のうちの一方のソース,ドレインにおいてフローティングゲートとオーバーラップする部分に設けられてなる低濃度の第2導電型の半導体領域と備え、フローティングゲートから第1ゲート絶縁膜を通して流れるF-Nトンネル電流によって上記一対のソース,ドレインのうちの他方のソース,ドレインに電子を引き抜くという書き込み動作と、上記一対のソース,ドレイン又は半導体基板から第1ゲート絶縁膜を通して流れるF-Nトンネル電流によってフローティングゲートに電子を注入するという消去動作と、上記コントロールゲートの電位を高くして一方のソース,ドレイン領域から他方のソース,ドレイン領域にメモリ電流が流れるか否かをセンスするという読み出し動作を行わせることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
