特許
J-GLOBAL ID：200903058714276925

発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
村野 由夫

村野 由夫 について


出願人/特許権者：
株式会社シチズン電子

株式会社シチズン電子 について


代理人 (1件)： 高宗 寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176355
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368286
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 発光色を容易に調整できて歩留が向上し量産に適するLED及びその製造方法。【解決手段】 10はチップタイプのLEDである。基板1の両面にわたって電極2が形成されており、下面側の電極2は外部接続端子となっている。基板1上に搭載されたLED素子3と各電極2との間はAu、Al等のワイヤで配線されている。LED素子3を封止している直方体形状の外形をした第一の樹脂4の外側を直方体形状の外形をした第二の樹脂5が覆っている。第二の樹脂5にはLEDの発光色を変化させる蛍光物質や着色剤が含まれている。第二の樹脂5の4方向の側面に反射率の高いAgやAlなどの金属のメッキ層からなる反射部が被覆してある。
請求項（抜粋）：
外部接続端子を有する基板上に発光素子を実装して樹脂封止した発光ダイオードにおいて、前記発光素子を封止した第一の樹脂の外側を第二の樹脂で覆うと共に、前記樹脂のいずれか一方に蛍光物質又は蛍光物質及び着色剤を混入させ、又は、前記樹脂のいずれか一方には前記蛍光物質を、他方には前記着色剤を振り分けて混入させ、前記第二の樹脂の側面には反射部を形成したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 F
Fターム (18件)：
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109EB01 ,  4M109EB08 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA11 ,  5F041CA76 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭60-246685
  • 表面実装型発光ダイオ-ド
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-377569   出願人：株式会社シチズン電子
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-289606   出願人：ローム株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM