半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005457
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199533
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のチップサイズの小型化を図る。【解決手段】半導体基板に、バンプを形成したフィルムを上に張り合わせる構造を持ち、バンプ間の所望の部分に電気配線を設け、半導体基板の離れた素子間を接続すること。かつ外部接続電極をバンプの接続で、すぐ上または付近の部分に出すことにより、チップサイズを小さくし、実装密度を増した。

請求項（抜粋）：

あらかじめ半導体基板に不純物を導入し所望の半導体領域を形成し、次に半導体基板の上面に保護膜を形成し該保護膜に電極孔を形成し、最後に電極配線を形成してなる半導体基板において、該半導体基板の所望の素子間を電気的に接続するため、外部接続用の電極パッドを設け、更に、電気絶縁性を持つ樹脂フィルムを加工し微細な貫通孔を形成しその孔の中に金属または導電性接着剤を充填し、フィルムの表裏両面に金属または導電性接着剤をバンプ状に盛り上げてなるフィルムに該半導体の所望の素子間を接続するための配線が金属で形成されているフィルムと、該フィルムのバンプは前記半導体基板の所望の素子間を電気的に接続するための近傍または平面上の同位置に配置するとともに、該半導体基板の外部接続用の電極パッドとの近傍または平面上の同位置に配置され該フィルムと半導体基板を所望の電極パッドとバンプ同士を接続し、かつ外部との接続もバンプで行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 L

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