特許

J-GLOBAL ID：200903058719634170

絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 磯部 英男 ,  夏目 正
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218865
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055593
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】入力容量、帰還容量の低減を図り、ON抵抗を低減し、合わせて高信頼度の縦型MOSFETを簡単な製造工程により提供する。【構成】 半導体基板1の表面のゲート絶縁膜4上のドレイン領域にリンガラス膜6パターンを形成し、そのリンガラス膜6パターンを覆う様に多結晶シリコン膜のゲート電極5を形成し、P型不純物を拡散しチャンネル拡散領域2を形成するとともに、リンガラス膜6よりN型不純物を拡散し高濃度拡散層11を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上にリンガラス膜を形成し、ホトエッチにより前記半導体基板のドレイン領域上にパターンを形成する工程と、該リンガラス膜上に多結晶シリコン膜を被着し、前記リンガラス膜のパターンを覆うように、ホトエッチによりゲート電極を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜からなるゲート電極をマスクとしてP型不純物をデポジションする工程と、熱処理により該P型不純物を拡散しチャンネル拡散領域を形成するとともに、前記リンガラス膜よりリンを拡散しドレイン領域に高濃度拡散層を形成する工程と、前記多結晶シリコンからなるゲート電極及びホトレジストをマクスとしてN型不純物を拡散することによりソース拡散領域を形成する工程と、コンタクト開口を設け金属電極を形成する工程とからなることを特徴とする絶縁ゲート形電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 P