特許
J-GLOBAL ID：200903058721722248
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041337
公開番号（公開出願番号）：特開平8-209349
出願日： 1995年02月06日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【目的】プラズマCVD装置に於いて上電極の一部を成す反応ガスシャワー板の交換、清浄を必要としない様にし、プラズマCVD装置の稼働率を向上させる。【構成】上下に対峙する電極3,4を有し、反応ガスを供給し前記上下の電極に高周波電力を印加し、プラズマを発生させ被処理基板13の表面に薄膜を生成するプラズマCVD装置に於いて、上電極を中空とし、該上電極が下面にシャワー板15を具備し、該シャワー板が多孔質金属板であり、前記上電極の中空部8に反応ガスを導入した反応ガスを前記シャワー板を介して供給する様構成したので、反応ガスが多孔質金属板の微細の孔からシャワー板全面に亘って均一に供給され、上電極の下面にガスの滞留が生ずることがなく、均質なプラズマが生成され、更に反応ガス流れによる自浄作用で上電極に膜が堆積することがなく、この為、均質なプラズマが生成され、被処理基板に均質な薄膜を生成できると共に上電極清浄に要するプラズマCVD装置の休止が避けられ、稼働率が向上する。
請求項（抜粋）：
上下に対峙する電極を有し、反応ガスを供給しつつ前記上下の電極に高周波電力を印加し、プラズマを発生させ被処理基板の表面に薄膜を生成するプラズマCVD装置に於いて、上電極を中空とし、該上電極が下面にシャワー板を具備し、該シャワー板が多孔質金属板であり、前記上電極の中空部に反応ガスを導入した反応ガスを前記シャワー板を介して供給する様構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, C23C 16/50
, H01L 21/205
