特許

J-GLOBAL ID：200903058723521460

半導体装置及びその製造方法

発明者： ▲高▼澤 浩幸 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  山根 正雄 ,  小林 正義
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059905
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258003
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】高耐圧を有する高周波用途の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】バリア層5の半導体基板1とは反対側の端面よりも半導体基板1から遠い側であって、かつ、オーミック層7とゲート電極10との間に、オーミック層7側から第1導電型の高不純物濃度半導体を含む領域11と第1導電型の低不純物濃度半導体を含む領域12とを設ける。領域12のシート不純物濃度を、ゲート電極10の半導体基板1側の底面とチャネル層3の半導体基板1とは反対側の端面との間のシート不純物濃度よりも小さく設定する。かつ、領域11のシート不純物濃度を、領域12のシート不純物濃度よりも大きく設定する。【効果】高耐圧かつ高周波用途の半導体装置が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に該半導体基板側からバッファ層、チャネル層、第1導電型のキャリア供給層、バリア層が形成され、ソース電極とドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のゲート電極と、前記ソース電極に電気的接触するオーミック層と前記ドレイン電極に電気的接触するオーミック層とが形成された半導体装置において、前記バリア層の前記半導体基板とは反対側の端面よりも前記半導体基板から遠い側であって、かつ、前記オーミック層と前記ゲート電極との間に、前記ゲート電極側から第1導電型の高不純物濃度半導体を含む領域と第1導電型の低不純物濃度半導体を含む領域とが形成され、前記低不純物濃度半導体を含む領域のシート不純物濃度は前記ゲート電極の前記半導体基板側底面と前記チャネル層の前記半導体基板とは反対側の端面との間のシート不純物濃度よりも小さく、前記高不純物濃度半導体を含む領域のシート不純物濃度は前記低不純物濃度半導体を含む領域のシート不純物濃度よりも大きく、かつ、前記高不純物濃度半導体を含む領域と前記低不純物濃度半導体を含む領域とはそれぞれ半導体装置の動作領域の一方の端面と該端面に対面する他方の端面との間に連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B

Fターム (27件)：

5F102FA01 ,  5F102FA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR10 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC15