特許
J-GLOBAL ID：200903058724000634
パタ-ン形成法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132188
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 基板上に、レジスト材層を形成し、そのレジスト材層から、パタ-ン化層を微細に且つ鮮明な輪郭を有するものに容易に形成する。【構成】 基板上に、電子線、X線またはイオンビ-ムが照射されることによって、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属酸化物でなる層を、レジスト材層として形成し、次に、そのレジスト材層に対し、上記電子線、X線またはイオンビ-ムを、所望のパタ-ンに照射させることによって、その照射領域を、上記電子線、X線またはイオンビ-ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジスト特性を有する領域として形成し、次に、上記レジスト材層に対する上記レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に対応したパタ-ンを有する層を、パタ-ン化層として形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、電子線、X線またはイオンビ-ムが照射されることによって、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異なる酸素組成に変化する金属酸化物でなる層を、上記電子線、X線またはイオンビ-ムが照射されることによって、その照射領域が、照射されない未照射領域とは異なるレジスト特性を呈するレジスト材層として、形成する工程と、上記レジスト材層に対し、上記電子線、X線またはイオンビ-ムを、所望のパタ-ンに照射させることによって、その照射領域を、上記電子線、X線またはイオンビ-ムの照射されていない未照射領域とは異なるレジスト特性を有する領域として形成する工程と、上記レジスト材層に対する上記電子線、X線またはイオンビ-ムの照射工程後、上記レジスト材層に対する上記レジスト特性の差を利用した現像処理によって、上記レジスト材層から、上記照射領域または未照射領域に対応したパタ-ンを有する層を、パタ-ン化層として形成する工程とを有するパタ-ン形成法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 501
