特許
J-GLOBAL ID：200903058729551086
有機金属気相成長法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214052
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】有機金属気相成長法により、レーザの発光寿命の向上を維持しつつ、結晶欠陥の少ないレーザダイオード用エピタキシャル結晶を作成する。【解決手段】GaAs基板1上に、有機金属気相成長法によってAlGaAs活性層3を含む複数の薄膜結晶を成長して、レーザダイオード用エピタキシャル結晶を作成する。上記AlGaAs活性層を成長するに際し、AlGaAs活性層を成長させる前に、成長を中断して結晶表面にInを添加し、その後引き続きInの添加の無いAlGaAs活性層を成長させる。これによりInがサーファクタントとなってその後のエピタキシャル成長を促進する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に1層もしくは多層のAlGaAs層を含んだ薄膜結晶を成長する有機金属気相成長法において、AlGaAs層の成長前もしくは成長途中に成長を中断して、特性を決定するAlGaAs層のAl組成に対して影響がでない範囲の微量なインジウム(In)を、AlGaAs層の成長前もしくは成長途中の結晶表面に添加することを特徴とする有機金属気相成長法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, C23C 16/48
, H01L 21/205
H01S 3/18
, C23C 16/48
, H01L 21/205
