特許

J-GLOBAL ID：200903058730711780

金属薄膜形成方法

発明者： 平谷 雄二
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219154
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058061
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【構成】 表面に III-V族化合物半導体エピタキシャル層(2)を有するデバイス構造の半導体基板(1)の前記エピタキシャル層上に金属薄膜を形成するに際して、前記半導体基板(1)を設置した真空容器内にVI族元素またはVI族元素の化合物を導入して前記エピタキシャル層の表面部にVI族元素を含む III-V族化合物の薄層(3)を形成し、前記半導体基板上の金属薄膜を形成すべき領域に局所的にエネルギーを加えることによりその領域の前記VI族元素を含む化合物の薄層を除去して窓領域(4)とし、その後該真空容器内に金属薄膜を構成すべき金属元素からなる有機金属を導入することにより上記窓領域に該金属薄膜(5)を成長させ、しかる後前記半導体基板を加熱することにより残存する前記VI族元素を含む化合物の薄層(3)を除去することを特徴とする金属薄膜作製方法。【効果】 デバイス構造の成長プロセスから金属電極形成プロセスまでを同一の真空容器内で一貫して実施できるので、デバイス特性のばらつきを大幅に減らすことができる。

請求項（抜粋）：

表面に III-V族化合物半導体エピタキシャル層を有するデバイス構造の半導体基板の前記エピタキシャル層上に金属薄膜を形成するに際して、前記半導体基板を設置した真空容器内にVI族元素またはVI族元素の化合物を導入して前記エピタキシャル層の表面部にVI族元素を含む III-V族化合物の薄層を形成し、前記半導体基板上の金属薄膜を形成すべき領域に局所的にエネルギーを加えることによりその領域の前記VI族元素を含む化合物の薄層を除去して窓領域とし、その後該真空容器内に金属薄膜を構成すべき金属元素からなる有機金属を導入することにより上記窓領域に該金属薄膜を成長させ、しかる後前記半導体基板を加熱することにより残存する前記VI族元素を含む化合物の薄層を除去することを特徴とする金属薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 V