特許
J-GLOBAL ID：200903058732332050
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251457
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】熱拡散、不純物拡散及び気相成長を行う半導体製造装置において、反応室へ複数枚のウェハを導入する際、不純物(ガス、ごみ等)の巻き込みによる熱自然酸化膜、オートドーピング発生を防止るとともに、パージ効果を向上させる。【構成】ウェハの熱拡散等を行う反応室1と、この反応室1に接続した予備室2とを有し、反応室1には反応室1と予備室2とを遮断する反応室ゲートバルブ3と、反応室1を真空にする反応室排気バルブ11及び真空排気ポンプ17と、反応室1を置換する反応室パージバルブ16とを有する。
請求項（抜粋）：
複数枚のウェハを反応室に入れ熱処理を行う半導体製造装置において、前記ウェハを外気から遮断するための真空排気機構を有する予備室を前記反応室に接続させ、この予備室と反応室とを遮断するゲートバルブを備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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