特許

J-GLOBAL ID：200903058733293873

半導体メモリ装置

発明者： 池田 恭二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-196691
公開番号（公開出願番号）：特開平8-063970
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体メモリ装置の出力データが切り換わるタイミングを検知する。【構成】 DTD20により、複数のセンスアンプ11の出力を取り込み、それらの出力の少なくとも1つが変化したときに一定の期間立ち下がるデータ遷移クロックφDTDを生成する。このデータ遷移クロックφDTDに応答してスイッチングトランジスタ14を動作させ、出力データが変化するときにセンスアンプ11の出力を遮断して出力バッファ17に入力しないようにする。これにより、出力バッファ17の反転動作によって生じる電源電位の変動がセンスアンプ11の動作に影響しにくくなる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルがブロック単位で配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの各ブロック毎に接続され、アドレス情報に応じて指定される特定のメモリセルに記憶されたデータを判定する複数のセンスアンプと、これら複数のセンスアンプのそれぞれの判定出力の少なくとも一つが変化したときに所定の時間幅のパルスを発生するディテクタと、を備え、上記ディテクタの出力から上記アドレス情報の遷移による出力の切り換わりのタイミングを検知することを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 11/41 ,  G11C 7/00 311 ,  G11C 11/407 ,  G11C 17/18 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 11/34 L ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 17/00 306 B ,  G11C 17/00 520 Z