半導体フォトデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053330
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】感度を向上させることができる半導体フォトデバイスを提供する。【解決手段】フォトIC1は、基体2、エピタキシャル積層体3、拡散層4、パッシベーション膜5、及び2つの電極6,7から構成されている。エピタキシャル積層体3は、基体2の表面に形成された第1エピタキシャル層3aと、その第1エピタキシャル層3a上に積層された第2エピタキシャル層3bとから構成されている。各エピタキシャル層3a,3bの所定箇所には、それぞれアイソレーション層11a,11bが形成されている。受光部12は、アイソレーション層11a,11bによって包囲された各エピタキシャル層3a,3bの特定領域によって構成されている。受光部12における各エピタキシャル層3a,3bの接合面には、拡散層4が形成されている。これにより、受光部12は、積層構造をなした状態となっている。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体からなる基体の表層部に第2導電型半導体からなる受光部を備え、その受光部に光が入射することによって光起電力を発生する半導体フォトデバイスにおいて、前記受光部は、前記基体の厚さ方向に積層された複数の受光層を含んで構成されていることを特徴とする半導体フォトデバイス。

Fターム (14件)：

5F049MA02 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NA05 , 5F049PA09 , 5F049PA10 , 5F049QA07 , 5F049QA12 , 5F049QA15 , 5F049RA06 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049SZ12 , 5F049SZ13

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