特許

J-GLOBAL ID：200903058735456826

ウェット処理方法および装置

発明者： 津金 賢 ,  富岡 秀起 ,  大塚 小巻 ,  神保 智子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059767
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251977
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハなどの被処理物に付着したウェット処理後の残留物を除去することができる。【解決手段】 半導体ウェハ1にウェットエッチングまたはウェット洗浄などのウェット処理を行うウェット処理槽2と、半導体ウェハ1を洗浄および乾燥する水洗乾燥槽3と、半導体ウェハ1に付着した未反応物や反応生成物などの残留物7を取り除く残留物除去槽4と、ウェット処理槽2に接続されたローダ5と、残留物除去槽4に接続されたアンローダ6とからなり、ウェット処理槽2においてウェット処理を行ったことにより半導体ウェハ1に付着した残留物7を残留物除去槽4の昇温脱離手段4aによって加熱して除去する。

請求項（抜粋）：

ウェットエッチングまたはウェット洗浄などのウェット処理を行うウェット処理装置が有するウェット処理部によって、被処理物をウェット処理し、前記のものと同一のウェット処理装置が有する残留物除去部によって、前記被処理物に付着した未反応物や反応生成物などの残留物を除去することを特徴とするウェット処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341

FI (3件)：

H01L 21/306 A ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/306 J