特許

J-GLOBAL ID：200903058737677331

炭素添加GaAs結晶の製造方法

発明者： 稲田 知己 ,  和地 三千則 ,  鈴木 隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-030887
出願日： 1995年07月17日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】【課題】液体封止引上法で成長するGaAs結晶中に含まれる炭素濃度を均一に制御する。【解決手段】結晶成長中の雰囲気ガス中のCO濃度を制御しながら液体封止引上法で炭素添加GaAs結晶を成長する。この成長の際、結晶成長開始時の雰囲気ガス中のCO濃度をP0 、結晶の固化率をg、GaAs結晶中のCの偏析係数をkとしたとき、固化率gでの雰囲気ガス中のCO濃度P(g)をP(g)=P0 {2-g-(1-g)k }となるように制御する。

請求項（抜粋）：

結晶成長中の雰囲気ガス中のCO濃度を制御しながら液体封止引上法で炭素添加GaAs結晶を成長する製造方法において、結晶成長開始時の雰囲気ガス中のCO濃度をP0 、結晶の固化率をg、GaAs結晶中の炭素の偏析係数をkとしたとき、固化率gでの雰囲気ガス中のCO濃度P(g)をP(g)=P0 {2-g-(1-g)k }となるように制御することを特徴とする炭素添加GaAs結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/42

FI (3件)：

C30B 15/04 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/42