特許
J-GLOBAL ID:200903058738360838

エポキシ化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川原田 一穂
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-533767
公開番号(公開出願番号):特表2001-511169
出願日: 1998年02月05日
公開日(公表日): 2001年08月07日
要約:
【要約】式(C)[式中、Rcは式(I)の1個もしくはそれ以上の追加基からなる残基を示す]の化合物の、式(A)もしくは(B)の化合物を120〜220°Cの範囲の温度にて第三アミンのハロゲン化水素付加塩の存在下に加熱することによる製造方法;ポリフェノール化合物とグリシドールとの反応から出発するエポキシ化合物の製造方法;並びに混入塩素の顕著に低い含有量を示すと共に通常の蓄積生成物を実質的に含まないエポキシ樹脂が提供される。
請求項(抜粋):
式:[式中、Rcは式:の1個もしくはそれ以上の追加基からなる残基を示す]の化合物を製造するに際し、式(A) または式(B)[式中、Raは式の1個もしくはそれ以上の追加基からなる残基を示し、Rbは式の1個もしくはそれ以上の追加基からなる残基を示す]の化合物を120〜220°Cの範囲の温度にて触媒としての第三アミンN(R1、R2、R3)[ここで記号R1、R2およびR3のそれぞれは独立して1〜10個の炭素原子を有するアルキル基、アリール基、アルキル基中に1〜5個の炭素原子を有するアラルキル基、5〜10個の炭素原子を有するシクロアルキル基、またはアルキル基中に1〜6個の炭素原子を有するアルキルシクロアルキル基を示しうる]のハロゲン化水素付加塩の存在下に加熱することを特徴とする前記式(C)の化合物の製造方法。
IPC (5件):
C07C 41/18 ,  C07C 43/23 ,  C07D301/26 ,  C07D303/30 ,  C08G 59/02
FI (5件):
C07C 41/18 ,  C07C 43/23 ,  C07D301/26 ,  C07D303/30 ,  C08G 59/02

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