特許
J-GLOBAL ID：200903058749021580
半導体素子のスクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213619
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055327
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子のスクリーニングを、ウェハ状態で一括して行うことができ、短時間で高品質の半導体装置を得ることのできる半導体素子のスクリーニング方法を提供すること。【構成】 主面に複数個の半導体素子2が形成され、且つダイシングライン3を横切って各半導体素子2間を接続するバーンイン用配線4が形成された半導体ウェハ1に対し、バーンイン用配線4を介して各々の半導体素子2に作動電圧を印加してバーンイン処理を行い、次いでウェハ1をダイシングライン3に沿ってハーフカットしてバーンイン用配線4を切断し、しかるのち各々の半導体素子2の動作テストを行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
主面に複数個の半導体素子が形成され、且つダイシングラインを横切って各半導体素子間を接続するバーンイン用配線が形成された半導体ウェハに対し、バーンイン用配線を介して各々の半導体素子に作動電圧を印加してバーンイン処理を行い、次いで前記ウェハをダイシングラインに沿ってハーフカットして前記バーンイン用配線を切断し、次いで各々の半導体素子の動作テストを行うことを特徴とする半導体素子のスクリーニング方法。
IPC (2件)：
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