特許
J-GLOBAL ID：200903058755457217
光外部変調器バイアス電圧制御回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209803
公開番号（公開出願番号）：特開平8-076071
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 光外部変調器に対して最適のバイアス電圧を与える。【構成】 入力光Piが光カプラ71に入力されると入力光Pi1及び入力光Pi2に分岐される。入力光Pi1はLN変調器10に入力され、出力光Poが出力される。出力光Poは光カプラ31に入力されると出力光Po1及び出力光Po2に分岐され、PD32から出力光Poの光パワーに比例した電流i1に変換されて出力される。入力光Pi2はPD72から入力光Piの光パワーに比例した電流i2に変換されて出力される。除算器80は、電流i1,i2を入力すると、LN変調器10の平均パワー伝達率に比例した出力電圧が出力する。この平均パワー伝達率が可変基準電圧源42で決定される一定の値となるように負帰還回路40がLN変調器10の変調電圧Vmをバイアスする。
請求項（抜粋）：
外部からの印加電圧により発生する電界に基づいて屈折率が変化する光導波路に入力光の一部を通し該入力光を変調した出力光を生成する光外部変調器の該入力光の平均レベルを検出する入力光平均レベル検出手段と、前記出力光の平均レベルを検出する出力光平均レベル検出手段と、前記入力光平均レベルに対する前記出力光平均レベルの割合である光パワー伝達率を検出する光パワー伝達率検出手段と、前記光パワー伝達率が一定になるように前記電圧をバイアスする負帰還回路とを、備えたことを特徴とする光外部変調器バイアス電圧制御回路。
IPC (2件)：
G02F 1/03 502
, H03F 1/34
