特許

J-GLOBAL ID：200903058758584872

成膜用基板および電気素子

発明者： 阿久津 仲男 ,  内田 和男 ,  徳永 裕樹 ,  松本 功
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182545
公開番号（公開出願番号）：特開平10-025200
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 透明基板を効率良く加熱でき、その表面温度を正確に制御することができる成膜用基板の提供、及びこの透明基板の表面に半導体素子部などの電気素子部を均一な膜厚で成膜した電気素子の提供。【解決手段】 表面Aに半導体層などの薄膜を成膜する透明な基板本体11の裏面Bに、該基板本体の材料より光吸収係数の大きな材料からなる光吸収層12を形成してなる成膜用基板10。この成膜用基板の表面に、少なくとも1層の半導体層と導電層を有する電気素子部が形成されてなる電気素子。

請求項（抜粋）：

表面に半導体層などの薄膜を成膜する透明な基板本体の裏面に、該基板本体の材料よりも光吸収係数の大きな材料からなる光吸収層を形成してなる成膜用基板。

IPC (9件)：

C30B 33/00 ,  C03C 17/00 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (9件)：

C30B 33/00 ,  C03C 17/00 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/04 H ,  H01L 31/10 A