特許

J-GLOBAL ID：200903058767446032

磁気抵抗効果ヘッド

発明者： 上原 裕二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000266
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182148
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 磁気抵抗効果ヘッドに関し、軟磁性膜を磁気抵抗効果膜に近接させることによって素子をバイアスする薄膜磁気ヘッドにおいて、バイアスに適した軟磁性膜をを提供することを目的とする。【構成】 強磁性磁気抵抗効果膜1と軟磁性体膜2を非磁性膜3を介して積層した磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、軟磁性体膜2として少なくとも2種類以上の磁性材料を積層した軟磁性膜を用いて構成する。

請求項（抜粋）：

強磁性磁気抵抗効果膜と軟磁性体膜を非磁性膜を介して積層した磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果ヘッドであって、前記軟磁性体膜として少なくとも2種類以上の磁性材料を積層した軟磁性膜を用いることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。