特許

J-GLOBAL ID：200903058770371086

ビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体の製造方法

発明者： 草野 重 ,  三木 鉄藏
出願人/特許権者： 保土谷化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021715
公開番号（公開出願番号）：特開2002-226441
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】 微細加工技術に適したレジスト材料の構成成分であるビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体を常圧で簡便に合成すること。【解決手段】 アルキルアミノベンゼン誘導体とシクロヘキサノン誘導体を酸性条件で尿素類を共存させて反応させる。さらに好ましくはアルコ-ル類も共存させる。

請求項（抜粋）：

アルキルアミノベンゼン誘導体とシクロヘキサノン誘導体の反応において、酸性条件下尿素類を共存させることを特徴とする下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R3はそれぞれに独立したアルキル基を表し、R2、R4はそれぞれに独立したアルキル基、水素原子を表し、R5、R6、R7、R8はそれぞれに独立した水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、置換アミノ基を表し、R7とR8は縮合環を形成してもよい)で表されるビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体の製造方法。

IPC (3件)：

C07C209/68 ,  C07C211/54 ,  C07B 61/00 300

FI (3件)：

C07C209/68 ,  C07C211/54 ,  C07B 61/00 300

Fターム (16件)：

4H006AA02 ,  4H006AC25 ,  4H006AC52 ,  4H006BA28 ,  4H006BA36 ,  4H006BA52 ,  4H006BA66 ,  4H006BB14 ,  4H006BJ20 ,  4H006BJ50 ,  4H006BU32 ,  4H006BU46 ,  4H039CA19 ,  4H039CA41 ,  4H039CD10 ,  4H039CD40