特許

J-GLOBAL ID：200903058775716880

連想メモリ

発明者： 籏 竜一
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084594
公開番号（公開出願番号）：特開2004-295967
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】従来よりも少ないトランジスタ数で大小比較機能を実現すると共に、レンジ一致比較機能を備える連想メモリを提供する。【解決手段】本発明の連想メモリで用いられるCAMセルは、1ビットのデータを記憶する記憶回路と、記憶回路に記憶されたデータと検索データとの一致比較を行う一致比較回路と、記憶回路に記憶されたデータと検索データとの大小比較を行う大小比較回路とを備える。一致比較回路は、第1の一致線と第2の一致線との間に接続され、記憶回路に記憶されたデータと検索データとが一致した場合にオンする第1のトランジスタを備え、大小比較回路は、第1の一致線と大小比較線との間に接続され、記憶回路に記憶されたデータの方が検索データよりも大きいかまたは小さい場合に択一的にオンする第2のトランジスタを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

1ビットのデータを記憶する記憶回路と、この記憶回路に記憶されたデータと検索データとの一致比較を行う一致比較回路と、前記記憶回路に記憶されたデータと前記検索データとの大小比較を行う大小比較回路とを備え、 前記一致比較回路は、第1の一致線と第2の一致線との間に接続され、前記記憶回路に記憶されたデータと前記検索データとが一致した場合にオンする第1のトランジスタを備え、 前記大小比較回路は、前記第1の一致線と大小比較線との間に接続され、前記記憶回路に記憶されたデータの方が前記検索データよりも大きいかまたは小さい場合に択一的にオンする第2のトランジスタを備えることを特徴とするCAMセル。

IPC (1件)：

G11C15/04

FI (2件)：

G11C15/04 631F ,  G11C15/04 631D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 内容アドレス式メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310921   出願人：川崎製鉄株式会社
• 連想メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-220370   出願人：日本電気株式会社