特許
J-GLOBAL ID：200903058778631087
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-264380
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体圧力センサウェハとパイレックスガラス板との陽極接合によって形成されるセンサ素子結合体から容易にダイシングされる半導体圧力センサを提供する。【構成】 センサ素子結合体10を、電極となる第1のシリコン半導体基板8を挟みつけた一対のパイレックスガラス板4,7の各外面に、一方には半導体圧力センサウェハを、他方には反り防止用のシリコン半導体基板9をそれぞれ陽極接合して形成した。センサ素子結合体10が対称構造となっているので陽極接合後熱膨張の差によってこのセンサ素子結合体10に反りは生じず、ダイシングが容易となる。
請求項（抜粋）：
パイレックスガラス板とシリコンの半導体圧力センサウェハとの陽極接合によって形成されたセンサ素子結合体を、ダイシングして得られる半導体圧力センサにおいて、前記センサ素子結合体を、電極となる第1のシリコン基板または高融点金属薄膜を挟みつけた一対のパイレックスガラス板の各外面に、一方では前記半導体圧力センサウェハを、他方には反り防止用の第2のシリコン基板をそれぞれ陽極接合して形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
