特許
J-GLOBAL ID：200903058779276485
熱電変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-127167
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321920
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体層と電極の熱膨張係数の違いを吸収し、接合強度を保持することができる熱電変換装置を提供する。【解決手段】 少なくとも多数の半導体層35、36と、各半導体層35、36を電気的に接続するための多数の電極34、37とを有する熱電変換装置において、電極34、37が、両端部付近に半導体接合領域40を有し、その半導体接合領域40の間に、電極34、37の一方の側端縁から他方の側端縁に向けて延びた第1の切欠部50aと、電極34、37の他方の側端縁から一方の側端縁に向けて延びかつ第1の切欠部50aよりずれた位置に形成された第2の切欠部50bとを設け、その第1の切欠部50aと第2の切欠部50bの間に幅狭の通電部51が形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多数の半導体層と、各半導体層を電気的に接続するための多数の電極とを有し、前記半導体層の少なくとも一方がスケルトンタイプの熱電変換装置において、前記多数の電極のうちの少なくとも一部が、両端部付近に半導体接合領域を有し、その半導体接合領域の間に、電極の一方の側端縁から他方の側端縁に向けて延びた第1の切欠部と、電極の他方の側端縁から一方の側端縁に向けて延びかつ前記第1の切欠部よりずれた位置に形成された第2の切欠部とを設け、その第1の切欠部と第2の切欠部の間に幅狭の通電部が形成されていることを特徴とする熱電変換装置。
IPC (4件)：
H01L 35/32
, F25B 21/02
, H01L 35/30
, H02N 11/00
H01L 35/32 A
, F25B 21/02 A
, H01L 35/30
, H02N 11/00 A
