薄膜半導体デバイスの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117559
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037062
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】単結晶珪素を用いたものと同等の特性を有する薄膜半導体デバイスを提供する。【解決手段】絶縁膜102を有する基板101上に第1の非晶質珪素膜103と金属触媒膜104を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第1の非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、前記結晶化させた珪素膜105に対してパターニングを施すことにより種結晶となる領域を形成する工程と、前記種結晶となる領域をエッチングして(100)面を残存させた種結晶106、107を形成する工程と、前記種結晶を覆って第2の非晶質珪素膜108を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第2の非晶質珪素膜を、前記種結晶から結晶成長させる工程と、を有し、前記結晶成長させた珪素膜109、110を活性層に用いる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に第1の非晶質珪素膜を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第1の非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、前記結晶化させた珪素膜に対してパターニングを施すことにより種結晶となる領域を形成する工程と、前記種結晶となる領域をエッチングして(100)面を残存させた種結晶を形成する工程と、前記種結晶を覆って第2の非晶質珪素膜を形成する工程と、エネルギーを与えることにより前記第2の非晶質珪素膜を、前記種結晶から結晶成長させる工程と、を有し、前記結晶成長させた珪素膜を活性層に用いることを特徴とする薄膜半導体デバイスの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/205 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/205 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 620

Fターム (92件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092KA03 , 2H092KA07 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AF07 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045CA15 , 5F045HA03 , 5F045HA04 , 5F045HA06 , 5F045HA08 , 5F045HA16 , 5F045HA18 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA02 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052GA02 , 5F052GB04 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE34 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP36 , 5F110PP38 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体回路およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079000 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-194517
特開昭63-044715

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