電子ビーム処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉岡宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203168
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】電子ビームによるエネルギーを有効に利用して処理対象の処理すべき面に電子ビームを同時に一括して照射すること。【解決手段】処理室24内にガラス基板60を配置するとともにガス源56からガス調整器16、ガス導入口52を介してガスを導入し、加速電極36と引出電極38とに加速電圧調整器14から電圧を印加して電子ビーム源10で発生した電子ビームを加速しながら引き出し、この電子ビーム44を隔壁20の微小開口48を介して処理室24内に導入し、電離プラズマを含む電子雲72を形成するとともに、電子ビーム44をガラス基板60上のアモルファス・シリコン薄膜74に照射して、薄膜74に対するアニール処理を施す。

請求項（抜粋）：

電子ビームを発生する電子ビーム源と、電子ビームを照射するための処理対象を収納する処理室と、前記電子ビーム源から電子ビームを加速しながら引き出す電子ビーム加速手段と、前記処理室内にガス源からガスを導入するガス導入手段と、前記電子ビーム加速手段により引き出された電子ビームを前記処理室内のガス雰囲気中に導入する電子ビーム導入手段とを備え、前記処理室内のガス雰囲気のうち前記処理対象の処理すべき面を含む領域に前記電子ビーム導入手段により導入された電子ビームにより電離プラズマを含む電子雲が形成され、前記電子ビーム加速手段は、前記処理室内に導入された電子ビームが前記処理室内のガスを透過して前記処理対象に浸透するレベルに電子ビームの加速エネルギーを調整してなる電子ビーム処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/263 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/208 , H01L 21/31

FI (6件)：

H01L 21/263 E , H01L 21/263 F , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/208 Z , H01L 21/31 C

Fターム (22件)：

5F045AA14 , 5F045AB03 , 5F045BB10 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045CB01 , 5F045DA61 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045HA16 , 5F045HA22 , 5F052AA03 , 5F052DA02 , 5F052FA05 , 5F052FA07 , 5F053AA26 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG02 , 5F053HH05 , 5F053LL10 , 5F053RR20

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