半導体集積回路と伝送ゲートのホットキャリア劣化抑止方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-055096
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】電流の双方向性を有する相補型MOSトランジスタの伝送ゲートにおけるホットキャリア効果に起因するデバイス特性の劣化を抑止すること目的とする。【解決手段】相補型MOSトランジスタよりなる伝送ゲートを有する半導体集積回路において、相補型MOSトランジスタのn型トランジスタのゲートとそのゲートへ制御電圧信号を発生させる信号源との間に2つのn型MOSトランジスタで構成されるMOSインバータを介することによって、ホットキャリアによるデバイス特性の劣化を抑止することを特徴とする半導体集積回路装置。

請求項（抜粋）：

相補型MOSトランジスタよりなる伝送ゲートを有する半導体集積回路において、前記相補型MOSトランジスタのp型MOSトランジスタ及びn型MOSトランジスタの各ゲートへの電圧信号を発生させる信号源が、伝送線路を介して、第1のn型MOSトランジスタと第2のn型MOSトランジスタとから構成されるインバータの該第1のn型MOSトランジスタのゲートと、該相補型MOSトランジスタのp型MOSトランジスタのゲートとのそれぞれに接続されると共に、インバータが該伝送線路と該第1のn型MOSトランジスタとの間に配置され、前記第1のn型MOSトランジスタのドレインと前記第2のn型MOSトランジスタのドレインとが接続されると共に、該接続点と前記相補型MOSトランジスタのn型トランジスタのゲートとが接続されることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H03K 17/08 , G11C 7/00 311 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 17/687

FI (5件)：

H03K 17/08 C , G11C 7/00 311 G , H01L 27/04 H , H01L 27/08 321 L , H03K 17/687 G

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