特許
J-GLOBAL ID：200903058788242615
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168997
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017928
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 配線導通部において有機SOG膜が後退することがないようにする。【構成】 アルミ配線2a、2b上にシリコン酸化膜3、有機SOG膜4、シリコン酸化膜5を順次形成した後、フォトレジスト6をマスクとして異方性エッチングを行い、有機SOG膜4に到達しない凹部8をシリコン酸化膜5に形成する。しかる後、フォトレジスト6を除去してから、凹部8を有するシリコン酸化膜5をマスクとして異方性ドライエッチングして配線導通部9を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の配線層を形成する工程と、しかる後、全面に第1の絶縁膜、有機SOG膜及び第2の絶縁膜を順次形成する工程と、上記第1の配線層の導通パターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングして上記第2の絶縁膜に凹部を形成する工程と、上記フォトレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、上記凹部を有する上記第2の絶縁膜をマスクとして全面をエッチングすることにより上記凹部における上記第2の絶縁膜、上記有機SOG膜及び上記第1の絶縁膜を貫通させて上記第1の配線層に達する配線導通部を形成する工程と、少なくとも上記配線導通部の内面を覆うとともに上記第1の配線層と接続される第2の配線層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 B
, H01L 21/90 M
